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鄭州博納熱窯爐

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CVD管式爐

CVD管式爐

CVD管式爐可以提供高溫、高壓、高真空等嚴(yán)苛條件,使得我們可以在這種環(huán)境下進(jìn)行各種材料制備、燒結(jié)、還原等實(shí)驗(yàn)。在高校、科研院所、工礦企業(yè)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)前景。

  • 熱場(chǎng)/爐膛:陶瓷纖維爐膛
  • 加熱元件:電阻絲
  • 最高溫度:1200℃
  • 使用溫度:1100℃
  • 真空度:高真空 ,低真空
  • 可用氣氛:惰性氣氛(N2、CO2、Ar2等) 危險(xiǎn)氣體(H2) 無
  • 應(yīng)用工藝:燒結(jié) ,氣象沉積(薄膜沉積)
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產(chǎn)品介紹

CVD管式爐簡(jiǎn)介

CVD管式爐由開啟式單(雙)溫區(qū)管式爐、高真空分子泵系統(tǒng)、壓強(qiáng)控制儀及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成。可實(shí)現(xiàn)真空達(dá)0.001Pa混合氣體化學(xué)氣相沉積和擴(kuò)散試驗(yàn)。

CVD管式爐主要用于高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié)、氣氛還原、CVD/CVI實(shí)驗(yàn),特別適用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備、納米線生長(zhǎng)、電池材料干燥燒結(jié)等場(chǎng)所。

CVD管式爐特點(diǎn)

1.薄膜沉積速率高:射頻輝光技術(shù),大大的提高了薄膜的沉積速率,沉積速率可達(dá)10?/S;

2. 大面積均勻性高:采用了先進(jìn)的多點(diǎn)射頻饋入技術(shù),特殊氣路分布和加熱技術(shù)等,使得薄膜均勻性指標(biāo)達(dá)到8%;

3. 一致性高:用半導(dǎo)體行業(yè)的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念,使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;

4. 工藝穩(wěn)定性高:高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定;

5.智能CVD設(shè)備是目前最新型的一款設(shè)備,將所有的控制部分集為一體,此款設(shè)備是博納熱獲得專利的設(shè)備。高溫真空加熱爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負(fù)反饋控制系統(tǒng)。電氣元件采用優(yōu)質(zhì)的進(jìn)口產(chǎn)品,做到高性能、免維護(hù),提高了設(shè)備質(zhì)量的可靠性。

6.適用范圍寬:金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復(fù)合薄膜,連續(xù)生長(zhǎng)各種薄膜等。增加功能容易,可擴(kuò)展等離子清洗刻蝕等功能。

CVD管式爐技術(shù)參數(shù)

最高工作溫度:1200 oC

長(zhǎng)期工作溫度:≤1100℃

熱電偶:K型

加熱元件:HRE電阻絲

極限真空度:1Pa

流量計(jì):三路質(zhì)子流量計(jì),雙卡套不銹鋼接頭,316L耐腐蝕材料

服務(wù)流程

項(xiàng)目前期溝通
一對(duì)一溝通客戶需求,包括對(duì)溫度,規(guī)格等要求,針對(duì)性提供最合理的建議,滿足客戶的需求。
制定方案及確認(rèn)
根據(jù)客戶的不同需求為用戶提供針對(duì)每臺(tái)試驗(yàn)設(shè)備的系統(tǒng),功能改造方案,確保用戶的利益最大化。
生產(chǎn)測(cè)試及發(fā)貨
確認(rèn)方案并確保更好的實(shí)施后,生產(chǎn)出設(shè)備并進(jìn)行有效測(cè)試,達(dá)到用戶的使用標(biāo)準(zhǔn),然后裝箱發(fā)貨。
指導(dǎo)安裝及調(diào)試
設(shè)備達(dá)到現(xiàn)場(chǎng)后,根據(jù)驗(yàn)貨清單驗(yàn)收,確保按合同交貨。安排技術(shù)人員到現(xiàn)場(chǎng)指導(dǎo)安裝及調(diào)試支持。

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